2.1.1. 靜態 RAM

圖 2.4 展示了一個 6 電晶體（transistor）SRAM 記憶單元（cell）的結構。這個記憶單元的核心由四個電晶體 $\mathbf{M_{1}}$ 到 $\mathbf{M_{4}}$ 所構成，其形成兩個交叉耦合（cross-coupled）的反相器（inverter）。它們有兩個穩定狀態，分別表示 0 與 1。只要 $\mathbf{V_{dd}}$ 維持通電，狀態就是穩定的。

若是需要存取記憶單元的狀態，就提高字組存取線路（word access line）$\mathbf{WL}$ 的電位。若是必須複寫記憶單元的狀態，則要先將 $\mathbf{BL}$ 與 $\overline{\mathbf{BL}}$ 線路設為想要的值，然後再提高 $\mathbf{WL}$ 的電位。由於外部的驅動者（driver）強於四個電晶體（$\mathbf{M_{1}}$ 到 $\mathbf{M_{4}}$），這使得舊的狀態得以被覆寫。

需要更多記憶單元運作方式的詳細描述，請見 [20]。為了接下來的討論，要注意的重點是

• 一個記憶單元需要六個電晶體。也有四個電晶體的變體，但其有些缺點。
• 維持記憶單元的狀態需要持續供電。
• 當提高字組存取線路 $\mathbf{WL}$ 的電位時，幾乎能立即取得記憶單元的狀態。其訊號如同其它電晶體控制的訊號，是直角的（rectangular）（在兩個二元狀態間迅速地轉變）。
• 記憶單元的狀態是穩定的，不需要再充電週期（refresh cycle）。

也有其它可用的 SRAM 形式––較慢且較省電。但因為我們尋求的是更快的 RAM，所以在此我們對它並不感興趣。這些慢的變種引發關注的主要原因是，它們比起動態 RAM 更容易被用在系統中，因為它們的介面較為簡單。